MEMS、各種センサー、光デバイスなどの研究、開発用
に特殊な面方位、極低抵抗、精密加工の小口径プライム
基板、試作やラインのモニタリング用のモニタ・ダミー
ウェハーなど小ロットから 対応いたします。

●ＦＺシリコンウェハー
超高抵抗　　1,000〜20,000Ωcm
結晶面　　　(111)±0.1°

●Ｃｚシリコンウェハー
直径：　　　 ２，３，４，５，６ ｲﾝﾁ
面方位：　　  (100),  (111),  その他特殊面方位　
ドーパント：  B, P, Sb, As, ﾉﾝﾄﾞｰﾌﾟ 　
抵抗率：　　  0.001 〜 500Ωcm
仕上げ：　　 片面研磨、両面研磨、ラップ、エッチ、アズカット

●その他
NEW！Si-Si直接ボンドウエファ、NEW！Si誘電体分離ウエファ、
Si-Ge単結晶基板、シリコン特殊加工品　
Ge単結晶基板−面方位、伝導型、比抵抗などお問い合わせください。

 

●貼り合せSOIウェハー

	4”		6”
デバイス層	2-100μm		2-100μm
酸化膜層	0.25-4.0μm		0.25-5.0μm
ハンドル層	350-700μm		350-700μm

●膜付ウェハー
　直径：　　２　〜 １２ ｲﾝﾁ
　膜種：　  金属膜( Al, Al-Si, Al-Si-Cu, Ti, TiN, W, TiW, Ta, TaN, Cu, Cuﾒｯｷ 他)
　非金属膜（SiO2, TEOS, PE-TEOS, Si3N4 他）

●極薄ウェハー

直径	2”	3”	4”
結晶	Cz	Cz/FZ	Cz/FZ
(100)	20μm	20μm	50μm
(110)	25μm	25μm	25μm
(111)	75μm	75μm	75μm