GaAs、 InPに加え、最近注目のSb系結晶材料、またこれらの
材料の特殊な面方位の基板など、新たな研究開発に必要な
仕様で、少量多品種のご要望にもお応えできるよう製品を
取り揃えております。　　　　　 

 ●�V-�X単結晶

	２″	３″	４″
GaAs	N型、P型、SI （VGF／LEC）	N型、P型、SI （VGF／LEC）	N型、SI （VGF）
InP	N型、P型、SI （LEC／VGF）	N型、P型、SI （LEC）	SI （LEC）
InAs	N型、P型 （LEC）	N型 （LEC）
InSb	N型、P型 （Cｚ／VGF）	N型 （Cz）
GaSb	N型、P型 （LEC／VGF）	N型 （LEC）

基板標準規格　
　　　面方位：　 　（１００）、（X１１）X=１、２、３・・、（１１０）及びオフアングル品
　　　仕上げ： 　　 エピレディ（MOVPE、MBE、LPE、VPE用）
　　　面方位公差：　±０．１°（高精度品±０．０２°）
　　　　　OF：　　　　　EJまたはSEMI
ドーパント：
　　　　　　GaAs ： 　 N型（高Si,中Si,低Si）    　　 P型（Zn）　SI（ｱﾝﾄﾞｰﾌﾟ）
　　　　　　InP　 ：  N型 （ｱﾝﾄﾞｰﾌﾟ、Fe、Sn、S） P型（Zn）
　　　　　　InAs 　：　 N型（ｱﾝﾄﾞｰﾌﾟ、S）　       　　 P型（Zn）
　　　　　　InSb　 ：　 N型（ｱﾝﾄﾞｰﾌﾟ、Te）　　　 　 P型（Ge）
　　　　　　GaSb　：　 N型（Te）　　　　　　　　　 P型（ｱﾝﾄﾞｰﾌﾟ、Zn）

　　　　　　グレード：　　プライム、モニター、ダミー

●�V-�X多結晶

	成長法	タイプ	抵抗率 （Ωcm）	移動度 （cm２/Vs）	キャリア濃度 cm−３
GaAs	GF	SI	＞10７	≧5000	−
InP	HHP	N	−	≧4000	≦1X1016
InAs	GF	N	−	≧2X10４	≦3X1016
InSb	GF	N	−	≧3X10５	(0.5-5)X101４
GaSb	GF	P	−	〜650	(1-3)X101７

●その他ZnS, ZnSe, CdS, CdSe, CdTeなど�U-�Y族単結晶も取扱っておりますのでお問合せ下さい。