インジウム・ナイトライド　InN

当社では最先端材料であるＩｎＮエピウエハーの販売を開始しております。
ＩｎＮは以下の様な観点から大変に注目されている材料です。

１）電子移動度が大きい
　　現在知られている半導体としては最大
　　超高速・高周波電子デバイスへの応用に期待
２）ＧａＮやＡｌＮと混晶を形成
　　赤外域から紫外域までの発光・受光デバイスへ応用可能
　　超高効率タンデム太陽電池の開発に有望

当面、ＩｎＮエピウエハーの仕様は以下の通りです。

形状　　　　　　　　　：２５ｍｍＸ２５ｍｍ　矩形
成長方法　　　　　　：ＭＯＣＶＤ
基板　　　　　　　　　：サファイアＣ面
エピ層厚み　　　　　：１μｍ以下
伝導型　　　　　　　 ：ｎ型
残留キャリヤ濃度　：４〜９Ｘ１０^１８ｃｍ^−３
電子移動度　　　　 ：５００〜１０００　ｃｍ^２／Ｖｓ

添付データ等の詳細についてはご相談ください。