GaAs、 InPに加え、最近注目のSb系結晶材料、またこれらの材料の特殊な面方位の基板など、
　　　新たな研究開発に必要な仕様で、少量多品種のご要望にもお応えできるよう製品を取り揃えて
　　 おります。　　　　　 

	２″	３″	４″
GaAs	N型、P型、SI（VGF／LEC）	N型、P型、SI（VGF／LEC）	N型、SI（VGF）
InP	N型、P型、SI（LEC／VGF）	N型、P型、SI（LEC）	SI（LEC）
InAs	N型、P型（LEC）	N型（LEC）
InSb	N型、P型（Cｚ／VGF）	N型（Cz）
GaSb	N型、P型（LEC／VGF）	N型（LEC）
ＧａＰ	N型、P型　　　（LEC）	N型、P型（LEC）

　基板標準規格　
　　　　　　面方位：　 　　（１００）、（１１０）及びオフアングル品
　　　　　　　　　　　　　　　特殊面方位　（X１１）X=１、２、３・・
　　　　　　仕上げ： 　　　 エピレディ（MOVPE、MBE、LPE、VPE用）
　　　　　　面方位公差：　±０．１°（高精度品±０．０２°）
　　　　　　OF／IF：　　　　EJ位置またはUS位置
　ドーパント：
　　　　　　GaAs 　： 　 N型　　　　　　　　　　    　　 P型（Zn）　　　SI（ｱﾝﾄﾞｰﾌﾟ）
　　　　　　InP　　 ： 　 N型 （ｱﾝﾄﾞｰﾌﾟ、Fe、Sn、S）　 P型（Zn）　　SI(Fe)
　　　　　　InAs 　：　 　N型（ｱﾝﾄﾞｰﾌﾟ、S）　       　　 P型（Zn）
　　　　　　InSb　 ：　　 N型（ｱﾝﾄﾞｰﾌﾟ、Te）　　　　 　 P型（Ge）
　　　　　　GaSb　：　　 N型（Te）　　　　　　　　　　　 P型（ｱﾝﾄﾞｰﾌﾟ、Zn）
　　　　　　ＧａＰ　 ：　　N型（Ｓ，Te）　　　　　　　　　 P型（Zn）

　　　　　　グレード：　　プライム、モニター、ダミー

　●その他ZnS, ZnSe, CdS, CdSe, CdTeなど�U-�Y族単結晶も取扱っておりますのでお問合せ下さい。
　　　サファイア、石英、ＳｉＣなどについてもご相談ください。